说明:
Ø 仿真环境:IC617
Ø 示例工艺库:TSMC_180nm RFCMOS工艺
仿真方法:save.scs gmid.ocn
原理图搭建:以rfnmos2V管子为例,栅宽设置为变量L;源端直接接地,分别调用不同vdc作为栅、漏电压,并设置变量vb,vdd(变量名和变量可以根据需要而自行设置)
说明:
Ø 仿真环境:IC617
Ø 示例工艺库:TSMC_180nm RFCMOS工艺
仿真方法:save.scs gmid.ocn
原理图搭建:以rfnmos2V管子为例,栅宽设置为变量L;源端直接接地,分别调用不同vdc作为栅、漏电压,并设置变量vb,vdd(变量名和变量可以根据需要而自行设置)