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基于IC617的gmid仿真方法

说明:

Ø 仿真环境:IC617

Ø 示例工艺库:TSMC_180nm RFCMOS工艺

 

仿真方法:save.scs gmid.ocn

 

原理图搭建:以rfnmos2V管子为例,栅宽设置为变量L;源端直接接地,分别调用不同vdc作为栅、漏电压,并设置变量vb,vdd(变量名和变量可以根据需要而自行设置)

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标题:《基于IC617的gmid仿真方法》
链接:https://www.lvruan.com/app/556794
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